| 材料 | 銦 |
| 化學(xué)成分 | In |
| 原子量 | 114.818 |
| 原子序數(shù) | 49 |
| 純度 | 3N5-5N |
| 顏色/外觀 | 灰色/金屬 |
| 導(dǎo)熱性 | 82 W/m.K |
| 熔點(diǎn) (°C) | 157 |
| 熱膨脹序數(shù) | 32.1 x 10-6/K |
| 理論密度 (g/cc) | 7.3 |
| Z 比率 | 0.841 |
| 濺射 | 直流 |
| 最大功率密度* (瓦/平方英寸 ) | 15 |
| 背板連接 | 銦 |
濺射是薄膜沉積的制造過(guò)程，是半導(dǎo)體，磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，光盤(pán)和光學(xué)器件行業(yè)的核心。
對(duì)于電子層面， 濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來(lái)，沉積在基板（如硅晶片、太陽(yáng)能電池板或光學(xué)器件）的過(guò)程。濺射過(guò)程開(kāi)始前，將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體（通常是氬氣）的真空室中，在靶源上施加負(fù)電荷，然后靶源沉積到基板，引起等離子體發(fā)光。
濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對(duì)質(zhì)量、靶原子的表面結(jié)合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應(yīng)用于濺射鍍膜機(jī)，包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環(huán)境下反應(yīng)濺射、氣流和磁電管濺射。
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